Samsung начал общее создание 64-слойных контроллеров V-NAND TLC

Это уже 4-ое поколение памяти V-NAND от производителя из Южной Корей Samsung. Южнокорейское фабрика объявило относительно того, что оно старт общее создание 64-слойных, 256-гигабайтовых контроллеров V-NAND TLC.
 
Новейшая память характеризуется скоростью передачи информации на уровне 1 Гбит/с, а коэффициент tPROG может составить 500 микросекунд, что вчетверо отлично, касательно обыденных, „плоских”, 10-нм контроллеров NAND-памяти и приблизительно в 1,5 раза хорошо по сопоставлению с 48-слойными контроллерами 3D NAND объемом 256 Гб. Корпорация предоставляет четкие гарантии, что совладала с задачей подготовки пары 10-ов слоев, состоящих из сложной матрицы ячеек, созданной на структуре 3D.

Новейшие, 64-слойные контроллеры V-NAND объемом 256 Гб, обязаны предоставить на 30 процентов больше высшую пропускная способность по отношению к своими 48-слойным предшественниками. Уменьшается также входное напряжение с 3,3 в до 2,5 в, а сами продукты обязаны быть крайне энергосберегающими. Так же, на 20% увеличен срок службы отдельных контроллеров.

Исходя из сведений Samsung, до завершения текущего года создание новейших микропроцессоров будет составлять 50 процентов от всего разработки памяти NAND корейской организации. Корпорация предоставляет четкие гарантии, что располагается на верном пути, чтобы показать 1-ые терабайтные версии, содержащие 90 и несколько слоев. Можно, как хочется заметить, считать, что на такой тип памяти необходимо будет еще незначительно подождать.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.

Thanks: shelestshow.ru